Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 6.8634 PLN
Availability: InStock

IPD60R950C6ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD60R950C6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 4,4A (Tc) 37W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD60R950C6ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	950mOhm przy 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	280 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	37W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD60R

Cena jednostkowa bez VAT:	5,58000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,86340 zł

IPD60R950C6ATMA1