Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 12.2385 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

HP8MA2TB1
Numer produktu DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	HP8MA2TB1
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	HP8MA2TB1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Producent Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22nC przy 10V, 25nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1100pF przy 15V, 1250pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 3W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSOP
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9.6mOhm przy 18A, 10V, 17.9mOhm przy 15A, 10V	Bazowy numer produktu HP8MA2