Name: 2SJ181-90STL
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2156-2SJ181-90STL-ND
Price: 9.04859 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2SJ181-90STL
Numer produktu DigiKey	2156-2SJ181-90STL-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	2SJ181-90STL
Opis	P-CHANNEL POWER MOSFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 600 V 500mA (Ta) 20W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	500mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25Ohm przy 300mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Vgs (maks.)	±15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	220 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	20W (Tc)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DPAK-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63