Name: RJK03M5DNS-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK03M5DNS-00#J5TR-ND
Price: 8.3517 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RJK03M5DNS-00#J5
Numer produktu DigiKey	RJK03M5DNS-00#J5TR-ND - Taśma i szpula (TR) RJK03M5DNS-00#J5CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	RJK03M5DNS-00#J5
Opis	MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 25A (Ta) 15W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HWSON (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RJK03M5DNS-00#J5 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1890 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 15W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HWSON (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 25A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu RJK03M5
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,3mOhm przy 12,5A, 10V