Name: FDS5672
Brand: onsemi
SKU: FDS5672TR-ND
Price: 10.9347 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS5672
Numer produktu DigiKey	FDS5672TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS5672CT-ND - Taśma cięta (CT) FDS5672DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS5672
Opis	MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 12A (Tc) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	FDS56