
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | NXV08A170DB2 |
Opis | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 45 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 80V 200A (Tj) Otwór przelotowy APM12-CBA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 200A (Tj) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 0,99mOhm przy 80A, 10V, 1,35mOhm przy 80A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 195nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 14000pF przy 40V | |
Moc - maks. | - | |
Temperatura robocza | 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q100 | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa / skrzynia | Moduł 12-PowerDIP (1,118", 28,40mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | APM12-CBA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 72,94000 zł | 72,94 zł |
| 10 | 52,23200 zł | 522,32 zł |
| 288 | 41,17500 zł | 11 858,40 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 72,94000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 89,71620 zł |


