


NXH008P120M3F1PTG | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 5556-NXH008P120M3F1PTG-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | NXH008P120M3F1PTG |
Opis | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 19 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 145A (Tc) 382W (Tj) Montaż na podstawie montażowej |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 145A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 10,9mOhm przy 120A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,4V a 60mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 419nC przy 18V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 8334pF przy 800V | |
Moc - maks. | 382W (Tj) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | - | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 362,49000 zł | 362,49 zł |
| 28 | 299,07429 zł | 8 374,08 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 362,49000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 445,86270 zł |


