NVATS5A113PLZT4G onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

NVATS5A113PLZT4G
Numer produktu DigiKey	488-NVATS5A113PLZT4GTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVATS5A113PLZT4G
Opis	MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 38A (Ta) 60W (Tc) Montaż powierzchniowy ATPAK
Modele EDA/CAD	NVATS5A113PLZT4G Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	38A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	29,5mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2400 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	60W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ATPAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	NVATS5

NVATS5A113PLZT4G