Name: NTZD3155CT2G
Brand: onsemi
SKU: NTZD3155CT2GOSTR-ND
Price: 1.722 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTZD3155CT2G
Numer produktu DigiKey	NTZD3155CT2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTZD3155CT2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTZD3155CT2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTZD3155CT2G
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 540mA, 430mA 250mW Montaż powierzchniowy SOT-563
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTZD3155CT2G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2,5nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 150pF przy 16V
Status części Aktywny	Moc - maks. 250mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-563
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 540mA, 430mA	Bazowy numer produktu NTZD3155
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 550mOhm przy 540mA, 4,5V