Name: SI1016CX-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1016CX-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7798 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI1016CX-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI1016CX-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI1016CX-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI1016CX-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI1016CX-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 20V SC89
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 220mW Montaż powierzchniowy SC-89 (SOT-563F)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2nC przy 4,5V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 43pF przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 220mW
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja Kanał N i P	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa dostawcy urządzenia SC-89 (SOT-563F)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Bazowy numer produktu SI1016
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 396mOhm przy 500mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 830

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,26000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,77980 zł

SI1016CX-T1-GE3