Name: FQD18N20V2TM
Brand: onsemi
SKU: FQD18N20V2TMTR-ND
Price: 8.733 PLN
Availability: OutOfStock

FQD18N20V2TM nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 83 983

Cena jednostkowa : 3,70000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 489

Cena jednostkowa : 8,38000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD18N20V2TM
Numer produktu DigiKey	FQD18N20V2TMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD18N20V2TMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD18N20V2TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD18N20V2TM
Opis	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 15A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQD18N20V2TM Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	140mOhm przy 7,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1080 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	FQD18N20