Name: FQD12N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD12N20LTMTR-ND
Price: 6.4452 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD12N20LTM
Numer produktu DigiKey	FQD12N20LTMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD12N20LTMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD12N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD12N20LTM
Opis	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 9A (Tc) 2,5W (Ta), 55W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 5 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1080 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 55W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V, 10V	Bazowy numer produktu FQD12N20
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 280mOhm przy 4,5A, 10V