Name: FDS3890
Brand: onsemi
SKU: FDS3890TR-ND
Price: 12.5829 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS3890
Numer produktu DigiKey	FDS3890TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS3890CT-ND - Taśma cięta (CT) FDS3890DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS3890
Opis	MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 80V 4,7A 900mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 44mOhm przy 4,7A, 10V
Producent onsemi	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria PowerTrench®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1180pF przy 40V
Status części Aktywny	Moc - maks. 900mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,7A	Bazowy numer produktu FDS38