FDN336P-NL onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDN336P-NL jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 16 479

Cena jednostkowa : 2,53000 zł

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 1 238

Cena jednostkowa : 1,39000 zł

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 34 259

Cena jednostkowa : 1,50000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,23000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN336P-NL
Numer produktu DigiKey	FDN336P-NL-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN336P-NL
Opis	MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	200mOhm przy 1,3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	330 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	FDN336