Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
FDG6301N jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
FDG6301N | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FDG6301NTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDG6301NCT-ND - Taśma cięta (CT) FDG6301NDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | FDG6301N |
Opis | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 25V 220mA 300mW Montaż powierzchniowy SC-88 (SC-70-6) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FDG6301N Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nieaktualne | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 25V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 220mA | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4Ohm przy 220mA, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 0,4nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 9,5pF przy 10V | |
Moc - maks. | 300mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SC-88 (SC-70-6) | |
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
7 Pozycje
Polska