PSMN3R0-60PS,127 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,27736 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,20937 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 599
Cena jednostkowa : 3,06000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,67406 zł
Arkusz danych

Similar


Texas Instruments
W magazynie: 1 711
Cena jednostkowa : 2,63000 zł
Arkusz danych

Similar


Texas Instruments
W magazynie: 339
Cena jednostkowa : 3,49000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 237
Cena jednostkowa : 4,72000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 664
Cena jednostkowa : 4,66000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 483
Cena jednostkowa : 3,98000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 4 440
Cena jednostkowa : 3,14000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 16
Cena jednostkowa : 2,83000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 39
Cena jednostkowa : 1,67000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 786
Cena jednostkowa : 1,80000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 18
Cena jednostkowa : 3,04000 zł
Arkusz danych
Kanał N 60 V 100A (Tc) 306W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN3R0-60PS,127

Numer produktu DigiKey
1727-4285-ND
Producent
Numer produktu producenta
PSMN3R0-60PS,127
Opis
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 100A (Tc) 306W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
130 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±20V
Status części
Nieaktualne
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
8079 pF @ 30 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
306W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
3mOhm przy 25A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (37)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
AOT262LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1413-5-ND1,27736 złSimilar
AOT264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1414-5-ND1,20937 złSimilar
AOT266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.599785-1415-5-ND3,06000 złSimilar
AOT470Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT470-ND0,67406 złSimilar
CSD18532KCSTexas Instruments1 711296-34941-5-ND2,63000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.