PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

PMZ290UNE2YL nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Similar

CSD17483F4

Texas Instruments

W magazynie: 38 928

Cena jednostkowa : 1,47000 zł

Arkusz danych

Similar

DMN2320UFB4-7B

Diodes Incorporated

W magazynie: 9 800

Cena jednostkowa : 3,41000 zł

Arkusz danych

Similar

DMN2501UFB4-7

Diodes Incorporated

W magazynie: 5 205

Cena jednostkowa : 1,72000 zł

Arkusz danych

Similar

NTJS4405NT1G

onsemi

W magazynie: 2 790

Cena jednostkowa : 1,11000 zł

Arkusz danych

Similar

NTJS4405NT4G

onsemi

W magazynie: 808 462

Cena jednostkowa : 0,71816 zł

Arkusz danych

Similar

PJQ1916_R1_00201

Panjit International Inc.

W magazynie: 7 924

Cena jednostkowa : 1,08000 zł

Arkusz danych

Similar

RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

W magazynie: 76

Cena jednostkowa : 1,62000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał N 20 V 1,2A (Ta) 350mW (Ta), 5,43W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-883

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMZ290UNE2YL
Numer produktu DigiKey	1727-2233-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-2233-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-2233-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PMZ290UNE2YL
Opis	MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 1,2A (Ta) 350mW (Ta), 5,43W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-883
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PMZ290UNE2YL Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 950mV przy 250µA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Produkt wycofany z oferty DigiKey	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 46 pF @ 10 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 350mW (Ta), 5,43W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,2A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-883
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia SC-101, SOT-883
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 320mOhm przy 1,2A, 4,5V	Bazowy numer produktu PMZ290

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (7)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
CSD17483F4	Texas Instruments	38 928	296-38914-1-ND	1,47000 zł	Similar
DMN2320UFB4-7B	Diodes Incorporated	9 800	31-DMN2320UFB4-7BCT-ND	3,41000 zł	Similar
DMN2501UFB4-7	Diodes Incorporated	5 205	31-DMN2501UFB4-7CT-ND	1,72000 zł	Similar
NTJS4405NT1G	onsemi	2 790	NTJS4405NT1GOSCT-ND	1,11000 zł	Similar
NTJS4405NT4G	onsemi	808 462	NTJS4405NT4G-ND	0,71816 zł	Similar

Pokaż więcej

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

W magazynie: 0

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.

Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko

9 Pozycje

CSD17483F4

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Texas Instruments

1,47000 zł

DMN2320UFB4-7B

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

Diodes Incorporated

3,41000 zł