NTJS4405NT4G onsemi | Półprzewodniki dyskretne

NTJS4405NT4G jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,06000 zł

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 617

Cena jednostkowa : 1,76000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,02000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTJS4405NT4G
Numer produktu DigiKey	NTJS4405NT4G-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTJS4405NT4G
Opis	MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 1A (Ta) 630mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-88/SC70-6/SOT-363
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTJS4405NT4G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,7V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	350mOhm przy 600mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	60 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	630mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-88/SC70-6/SOT-363
Obudowa / skrzynia	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Bazowy numer produktu	NTJS44