Name: DMN2320UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2320UFB4-7BTR-ND
Price: 3.3333 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2320UFB4-7B
Numer produktu DigiKey	31-DMN2320UFB4-7BTR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN2320UFB4-7BCT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN2320UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2320UFB4-7B
Opis	MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 1A (Ta) 520mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN1006-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	320mOhm przy 500mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	950mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	71 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	520mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN1006-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	DMN2320

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 5 495

Zapas fabryczny: 30 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®