Bezpośrednie



IXTY2N100P | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTY2N100P-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTY2N100P |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 7,5Ohm przy 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 100µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 24.3 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 655 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 86W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 16,14000 zł | 16,14 zł |
| 70 | 7,90143 zł | 553,10 zł |
| 140 | 7,20286 zł | 1 008,40 zł |
| 560 | 6,12109 zł | 3 427,81 zł |
| 1 050 | 5,74146 zł | 6 028,53 zł |
| 2 030 | 5,65425 zł | 11 478,13 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 16,14000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,85220 zł |


