IXTP90N055T2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,51501 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 12 137
Cena jednostkowa : 12,37079 zł
Arkusz danych

Similar


Texas Instruments
W magazynie: 864
Cena jednostkowa : 7,80000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,55000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 538
Cena jednostkowa : 14,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 31
Cena jednostkowa : 9,81000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 13 407
Cena jednostkowa : 7,58000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 976
Cena jednostkowa : 6,26000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,11468 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 886
Cena jednostkowa : 9,30000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,12956 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 337
Cena jednostkowa : 10,32000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTP90N055T2

Numer produktu DigiKey
IXTP90N055T2-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXTP90N055T2
Opis
MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 55 V 90A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8,4mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2770 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
112,70000 zł12,70 zł
506,38740 zł319,37 zł
1005,77510 zł577,51 zł
5004,70258 zł2 351,29 zł
1 0004,35804 zł4 358,04 zł
2 0004,08685 zł8 173,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:12,70000 zł
Cena jednostkowa z VAT:15,62100 zł