IRF2807ZPBF Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF2807ZPBF
Numer produktu DigiKey	IRF2807ZPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF2807ZPBF
Opis	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF2807ZPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,4mOhm przy 53A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3270 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	170W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IRF2807

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 31

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	9,81000 zł	9,81 zł
10	6,33500 zł	63,35 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.