Name: DMNH6008SCTQ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6008SCTQDI-ND
Price: 11.7465 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

DMNH6008SCTQ
Numer produktu DigiKey	DMNH6008SCTQDI-ND
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMNH6008SCTQ
Opis	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMNH6008SCTQ Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	130A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2596 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	210W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	DMNH6008

Cena jednostkowa bez VAT:	9,55000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,74650 zł

DMNH6008SCTQ