
IXTP4N70X2M | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP4N70X2M-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP4N70X2M |
Opis | MOSFET N-CH 700V 4A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 36 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11.8 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 386 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 30W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 700 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220, wypustka izolowana |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 850mOhm przy 2A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA70R750P7SXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1 235 | 2156-IPA70R750P7SXKSA1-ND | 2,19038 zł | Similar |
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 6,00000 zł | Similar |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | 12,21000 zł | Similar |
| STP10NK60ZFP | STMicroelectronics | 354 | 497-5892-5-ND | 15,84000 zł | Similar |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 952 | 497-12602-5-ND | 19,75000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 18,28000 zł | 18,28 zł |
| 50 | 9,45240 zł | 472,62 zł |
| 100 | 8,59850 zł | 859,85 zł |
| 500 | 7,10296 zł | 3 551,48 zł |
| 1 000 | 6,62269 zł | 6 622,69 zł |
| 2 000 | 6,21912 zł | 12 438,24 zł |
| 5 000 | 6,14835 zł | 30 741,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 18,28000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 22,48440 zł |

