IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPA70R750P7SXKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

IXYS

W magazynie: 24

Cena jednostkowa : 18,28000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 183

Cena jednostkowa : 14,33000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPA70R750P7SXKSA1
Numer produktu DigiKey	IPA70R750P7SXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPA70R750P7SXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 6,5A (Tc) 1,2A (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPA70R750P7SXKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 70µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.3 nC @ 400 V
Seria CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±16V
Opakowanie Rurka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 306 pF @ 400 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 1,2A (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 700 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO220-FP
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,5A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-220-3, pełny pakiet
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPA70R750
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 750mOhm przy 1,4A, 10V