IXFH60N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IXFH60N65X2
IXYS
W magazynie: 5 072
Cena jednostkowa : 47,43000 zł
Arkusz danych

Similar

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 28,91000 zł
Arkusz danych

Similar

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 240
Cena jednostkowa : 38,66000 zł
Arkusz danych

Similar

STW56N65M2
STMicroelectronics
W magazynie: 92
Cena jednostkowa : 35,47000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH60N60X

Numer produktu DigiKey
IXFH60N60X-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFH60N60X
Opis
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
HiPerFET™, Ultra X
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
55mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
890W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247 (IXTH)
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
IXFH60
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.