Name: IXFH60N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFH60N65X2-ND
Price: 58.2036 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH60N65X2
Numer produktu DigiKey	238-IXFH60N65X2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFH60N65X2
Opis	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Ultra X2
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6180 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	780W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247 (IXTH)
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXFH60

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 5 075

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	47,32000 zł	47,32 zł
30	28,62600 zł	858,78 zł
120	24,52717 zł	2 943,26 zł
510	23,56853 zł	12 019,95 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.