Name: IPW60R060P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R060P7XKSA1-ND
Price: 35.5593 PLN
Availability: OutOfStock

IPW60R060P7XKSA1 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

IXFH60N60X

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 8,03267 zł

Arkusz danych

Similar

IXFH60N65X2

IXYS

W magazynie: 5 072

Cena jednostkowa : 11,13000 zł

Arkusz danych

Similar

IXTH48N65X2

IXYS

W magazynie: 450

Cena jednostkowa : 9,57000 zł

Arkusz danych

Similar

IXTH52N65X

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 7,61233 zł

Arkusz danych

Similar

IXTH62N65X2

IXYS

W magazynie: 380

Cena jednostkowa : 10,88000 zł

Arkusz danych

Similar

IXTH64N65X

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 10,03233 zł

Arkusz danych

Similar

R6055VNZ4C13

Rohm Semiconductor

W magazynie: 476

Cena jednostkowa : 6,65000 zł

Arkusz danych

Similar

R6076MNZ1C9

Rohm Semiconductor

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał N 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPW60R060P7XKSA1
Numer produktu DigiKey	IPW60R060P7XKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPW60R060P7XKSA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPW60R060P7XKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	48A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 15,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 800µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2895 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	164W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IPW60R060

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	28,91000 zł	28,91 zł
30	16,65833 zł	499,75 zł
120	13,97017 zł	1 676,42 zł
510	12,00006 zł	6 120,03 zł
1 020	11,28141 zł	11 507,04 zł
2 010	11,25969 zł	22 631,98 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.