IXFH24N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


IXYS
W magazynie: 5 042
Cena jednostkowa : 33,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 158
Cena jednostkowa : 15,58000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 419
Cena jednostkowa : 17,31000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 282
Cena jednostkowa : 38,24000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 439
Cena jednostkowa : 20,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,67258 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,96000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 500
Cena jednostkowa : 20,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 494
Cena jednostkowa : 20,50000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,78988 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,45138 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 21,26000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 378
Cena jednostkowa : 26,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 26,46000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 24A (Tc) 400W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH24N60X

Numer produktu DigiKey
IXFH24N60X-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXFH24N60X
Opis
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 24A (Tc) 400W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 2,5mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
47 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1910 pF @ 25 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
400W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
175mOhm przy 12A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (23)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IXFH22N65X2IXYS5 042238-IXFH22N65X2-ND33,00000 złMFR Recommended
IPW60R170CFD7XKSA1Infineon Technologies158448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND15,58000 złSimilar
IPW60R190C6FKSA1Infineon Technologies1 419IPW60R190C6FKSA1-ND17,31000 złSimilar
SCT3120ALGC11Rohm Semiconductor282SCT3120ALGC11-ND38,24000 złSimilar
SIHG21N60EF-GE3Vishay Siliconix439SIHG21N60EF-GE3-ND20,61000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.