Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
SIHG22N65E-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHG22N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHG22N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHG22N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 180mOhm przy 11A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2415 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 227W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247AC | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 500 | 8,92850 zł | 4 464,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,92850 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,98206 zł |
Polska