Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXFH18N65X2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXFH18N65X2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXFH18N65X2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 1,5mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1520 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 290W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247 (IXTH) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 200mOhm przy 9A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 26,82000 zł | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 277 | SCT3120ALGC11-ND | 38,24000 zł | Similar |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 289 | 497-9066-5-ND | 29,98000 zł | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 15,48000 zł | Similar |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | 22,05000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 300 | 16,66420 zł | 4 999,26 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 16,66420 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 20,49697 zł |






