IRFS4410PBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5
Cena jednostkowa : 9,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 6 564
Cena jednostkowa : 13,29000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,63970 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 149
Cena jednostkowa : 21,96000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 821
Cena jednostkowa : 14,75000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 4 565
Cena jednostkowa : 12,61000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,75480 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 218
Cena jednostkowa : 9,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 800
Cena jednostkowa : 9,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 5 321
Cena jednostkowa : 11,00000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 8 213
Cena jednostkowa : 19,50000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 404
Cena jednostkowa : 12,82000 zł
Arkusz danych
Kanał N 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFS4410PBF

Numer produktu DigiKey
IRFS4410PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFS4410PBF
Opis
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFS4410PBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
10mOhm przy 58A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5150 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.