Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 19.5201 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB3632
Numer produktu DigiKey	FDB3632TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB3632CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB3632
Opis	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	41 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDB3632 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6000 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 310W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDB363
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9mOhm przy 80A, 10V