Name: STB120NF10T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-2452-2-ND
Price: 25.8423 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STB120NF10T4
Numer produktu DigiKey	497-2452-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-2452-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-2452-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STB120NF10T4
Opis	MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STB120NF10T4 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 233 nC @ 10 V
Seria STripFET™ II	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5200 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 312W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STB120
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10,5mOhm przy 60A, 10V