IRFR2407PBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 4 223
Cena jednostkowa : 7,26000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 454
Cena jednostkowa : 8,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 296
Cena jednostkowa : 8,14000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 4 862
Cena jednostkowa : 10,09000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 049
Cena jednostkowa : 6,05000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 7 891
Cena jednostkowa : 11,01000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 3 979
Cena jednostkowa : 6,42000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 989
Cena jednostkowa : 8,03000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 6 232
Cena jednostkowa : 6,86000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 4 161
Cena jednostkowa : 6,79000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 10 111
Cena jednostkowa : 8,99000 zł
Arkusz danych
Kanał N 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA (DPAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFR2407PBF

Numer produktu DigiKey
IRFR2407PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFR2407PBF
Opis
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
26mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.