Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 12.9888 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDD10AN06A0
Numer produktu DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDD10AN06A0CT-ND - Taśma cięta (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDD10AN06A0
Opis	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDD10AN06A0 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 37 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1840 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 135W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 11A (Ta), 50A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu FDD10AN06
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10,5mOhm przy 50A, 10V