Name: IRF9383MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF9383MTRPBFTR-ND
Price: 16.6542 PLN
Availability: InStock

IRF9383MTRPBF nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 437

Cena jednostkowa : 7,06000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF9383MTRPBF
Numer produktu DigiKey	448-IRF9383MTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF9383MTRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF9383MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF9383MTRPBF
Opis	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 2,1W (Ta), 113W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ MX
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF9383MTRPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Ta), 160A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,9mOhm przy 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7305 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DIRECTFET™ MX
Obudowa / skrzynia	Izometryczny MX DirectFET™
Bazowy numer produktu	IRF9383