Name: IRFH9310TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH9310TRPBFTR-ND
Price: 8.6838 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFH9310TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFH9310TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFH9310TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFH9310TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFH9310TRPBF
Opis	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 3,1W (Ta) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFH9310TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,6mOhm przy 21A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	58 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5250 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	IRFH9310