
IRF7341TRPBFXTMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRF7341TRPBFXTMA1 |
Opis | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 26 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8-902 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IRF7341TRPBFXTMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 55V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4,7A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 50mOhm przy 4,7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 36nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 740pF przy 25V | |
Moc - maks. | 2W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-DSO-8-902 |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,68000 zł | 4,68 zł |
| 10 | 2,94300 zł | 29,43 zł |
| 100 | 1,94310 zł | 194,31 zł |
| 500 | 1,51320 zł | 756,60 zł |
| 1 000 | 1,37473 zł | 1 374,73 zł |
| 2 000 | 1,26708 zł | 2 534,16 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 4 000 | 1,12550 zł | 4 502,00 zł |
| 8 000 | 1,04559 zł | 8 364,72 zł |
| 12 000 | 1,03519 zł | 12 422,28 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,68000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,75640 zł |


