Name: IRF5305STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5305STRLPBFTR-ND
Price: 9.9507 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF5305STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF5305STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF5305STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF5305STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF5305STRLPBF
Opis	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 55 V 31A (Tc) 3,8W (Ta), 110W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF5305STRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF5305