Name: IRFR5305TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR5305PBFTR-ND
Price: 6.9741 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFR5305TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFR5305PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFR5305PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFR5305PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFR5305TRPBF
Opis	MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	11 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFR5305TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	110W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IRFR5305