Name: IQE008N03LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 13.6407 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQE008N03LM5CGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQE008N03LM5CGSCATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQE008N03LM5CGSCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	-
Moc - maks.	-
Temperatura robocza	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	9-PowerWDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHTFN-9