Name: NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFSSCH0D7N02XTR-ND
Price: 11.6604 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTTFSSCH0D7N02X
Numer produktu DigiKey	488-NTTFSSCH0D7N02XTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTTFSSCH0D7N02XCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTTFSSCH0D7N02XDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTTFSSCH0D7N02X
Opis	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 310A (Tc) 87W (Tc) Montaż powierzchniowy 9-WDFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	310A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,58mOhm przy 24A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 484µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3980 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	87W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	9-WDFN (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	9-PowerUDFN
Bazowy numer produktu	NTTFSSCH