Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 13.7268 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQDH29NE2LM5CGATMA1
Opis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,29mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1,448mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	254 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	17000 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TTFN-9-U02
Obudowa / skrzynia	9-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	IQDH29

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 3 426

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®