Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 20.1228 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Opis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHSON-8-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,29mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1,448mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	17000 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHSON-8-U02
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	16,36000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	20,12280 zł

IQDH29NE2LM5SCATMA1