Name: IQDH29NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 19.2249 PLN
Availability: OutOfStock

IQDH29NE2LM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQDH29NE2LM5ATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-9
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQDH29NE2LM5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,29mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1,448mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	254 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	17000 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-9
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	15,63000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	19,22490 zł

IQDH29NE2LM5ATMA1