Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHG33N65EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 31,6A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 171 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4026 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 313W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AC |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 109mOhm przy 16,5A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | 0,00000 zł | Similar |
| FCH104N60F | onsemi | 450 | FCH104N60F-ND | 30,05000 zł | Similar |
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 310 | IPW60R099CPAFKSA1-ND | 33,21000 zł | Similar |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | 30 | IXFR64N60Q3-ND | 168,37000 zł | Similar |
| IXTH34N65X2 | IXYS | 203 | IXTH34N65X2-ND | 36,37000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 31,06000 zł | 31,06 zł |
| 25 | 18,50560 zł | 462,64 zł |
| 100 | 15,51410 zł | 1 551,41 zł |
| 500 | 13,12164 zł | 6 560,82 zł |
| 1 000 | 12,48252 zł | 12 482,52 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 31,06000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 38,20380 zł |







