Name: IPTG014N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG014N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 27.0231 PLN
Availability: InStock

IPTG014N10NM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTG014N10NM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTG014N10NM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTG014N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTG014N10NM5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOG-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTG014N10NM5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	37A (Ta), 366A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 280µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16000 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOG-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSMD, Gull Wing
Bazowy numer produktu	IPTG014N

Cena jednostkowa bez VAT:	21,97000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	27,02310 zł

IPTG014N10NM5ATMA1