Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 33.087 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIJK5100E-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIJK5100E-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK®10 x 12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11480 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK®10 x 12
Obudowa / skrzynia	8-PowerBSFN