Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 30.9222 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIJK5100E-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIJK5100E-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK®10 x 12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,4mOhm przy 80A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 200 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11480 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 17W (Ta), 536W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK®10 x 12
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerBSFN