Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 28.7082 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT017N12NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT017N12NM6ATMA1
Opis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,6V przy 275µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 141 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 6	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11000 pF @ 60 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 395W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 120 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu IPT017
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,7mOhm przy 150A, 10V